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在分析Flyback電路之前，我覺得有必要把變壓器模型做一個(gè)總結(jié)，因?yàn)槲覀儗ψ儔浩鞯姆治銎鋵?shí)是在一定的模型上面進(jìn)行分析的。這里闡述我的一個(gè)觀點(diǎn)， 如果說實(shí)際測試和實(shí)驗(yàn)是非常重要的話，對分析對象有一個(gè)清晰的模型概念對電子工程師來說是非常必要的，建立的模型的目的完全是為了可以簡化問題。當(dāng)然建立 了模型進(jìn)行分析，可能和實(shí)際的測試結(jié)果有出入，每一個(gè)對象的實(shí)際總有偏差，但大規(guī)模生產(chǎn)有個(gè)前提就是需要控制對象的參數(shù)分布在一定范圍內(nèi)。
功率變壓器在電源中起著能量變換和能量傳送的作用（聯(lián)接信號源與負(fù)載的中介）。一般的變壓器模型是一個(gè)雙端口網(wǎng)絡(luò)，在大部分仿真軟件中的模型如下：

不過因?yàn)殡p端口模型不利于我們的分析，我們一般不直接使用這種模型。（當(dāng)然軟件中大部分都是這么分析）這種模型忽略了漏磁電感和激磁電抗，需要進(jìn)行改進(jìn)才能得出比較精確的結(jié)果。
我們也可以將變壓器與負(fù)載分開（獨(dú)立的器件）, 變壓器則等效成為附加一定電抗的電感器, 次邊電磁參數(shù)以一定變換歸一化到原邊進(jìn)行處理, 可看成一個(gè)單口網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行等效, 從而使模型得以簡化。最簡單的模型如下：

圖中各個(gè)參數(shù)為：
C：端口分布電容
Rc：線圈交流電阻
Rm：磁心損耗電阻
Ls：線圈漏感
Lm：磁心磁化電感
RL’：負(fù)載折合到原邊的等效電阻 主要缺點(diǎn)有兩個(gè)： 1）I.c=I.m+I.lm+I.l,變壓器的銅損（線圈電阻損耗）與鐵損（磁芯損耗）是相關(guān)的，很難成為獨(dú)立的兩個(gè)參量。
2）當(dāng)開關(guān)通斷的頻率比較高時(shí)，不同繞組間的電容效應(yīng)已較為明顯, 次邊繞組的銅損折合至原邊的等效阻抗已經(jīng)能夠明顯的影響變壓器的響應(yīng)。
如果各位對上面的模型不太清楚，以下這張圖能夠比較清晰的反應(yīng)變壓器線圈的分布參數(shù)：
我們可以建立了一個(gè)繞組的模型，端口電容也可以認(rèn)為是繞組的分布電容（匝間電容和層間電容），分布電容經(jīng)過疊加折算得：繞組的等效并聯(lián)電容C′= Ci/ ( N - 1) ( N > 1)Φm為主磁通（產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢）對應(yīng)磁芯磁化電感Lm，Φc為漏磁通對應(yīng)線圈漏感

第一個(gè)改進(jìn)型模型：

Cp：端口并聯(lián)等效分布電容（初級線圈）
Rp：端口并聯(lián)等效介質(zhì)損耗電阻（次級線圈）
Cs：初級和次級繞組間等效耦合電容
Rs：初級和次級繞組間等效介質(zhì)漏
Ls：線圈漏電感，分為Lse和Lsm
Lm：勵(lì)磁電感,分為Lma和Lml
Rm：磁心損耗等效電阻
Rcp：原邊繞組的等效電阻
Rce：次邊繞組的等效電阻
RL：折算到原邊的負(fù)載等效電阻 模型主要特點(diǎn)： 流過Rce的電流I.Rce ,流過Rcp的電流I.Rcp ,流過Rm的電流I.Rm 相互獨(dú)立, 模型使源邊副邊的銅損與磁芯損耗（鐵損）不再相關(guān)。
不過個(gè)人認(rèn)為下面這個(gè)模型更好理解一些：

Cps為初級和次級繞組之間的電容
Lkp：初級繞的漏感
Cp：初級繞組的寄生電容（分布電容）
Rp：初級繞組的線圈電阻
Lks：次級繞的漏感
Cs：次級繞組的寄生電容（分布電容）
Rs：次級繞組的線圈電阻
Lm：變壓器勵(lì)磁電感
Rm：磁芯損耗的電阻
RL：折算到原邊的負(fù)載等效電阻
CL：折算到原邊的負(fù)載等效電容
這個(gè)模型可能好理解一些，不過我們分析的時(shí)候可以從這些模型開始參照，或者說分析的時(shí)候通過某些參數(shù)的變化來分析整個(gè)趨勢。