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CMOS即互補金屬氧化物半導體，它開始是計算機系統(tǒng)內的一種重要芯片。后來有人發(fā)現(xiàn)，將CMOS與光電二極管加工一起，也可以做成一種感光的圖像傳感器，尤其CMOS有制作工藝簡單，又便于大規(guī)模生產和成本低廉等特性，這大大吸引著商家，因而投資研發(fā)出來。
與CCD相比，CMOS圖像傳感器最明顯的優(yōu)勢是器件結構簡單、集成度高、功耗小、生產成品率高、成本低、容易與其他芯片整合。例如，可以將模/數(shù)轉換、控制芯片等集成在一起,使圖像數(shù)據(jù)不必在迷宮般的電路中被傳來送去，因而極大地提高了捕獲速度。此外，CMOS的功耗僅相當于CCD功耗的1/10?1/8,可以制造岀微型化、智能化成像產品，從而可開拓更多的新的應用領域。
CMOS成像器件的結構及原理 1.CMOs圖像傳感器的像素單元結構及原理CMOS圖像傳感器的最基本的像素單元結構，是在MOS場效應管的基礎上加上光電二極管構成的，其最基本的像素結構如圖4-23所示。圖4-23(a)為CMOS成像器結構的無源像素傳感器(PPS),它用兩個NMOS場效應管構成最簡單的像素，在低光照時有低的信噪比，有較低的空間噪聲，高讀出噪聲；圖4-23(b)為有源像素傳感器(APS),它用三個NMOS場效應管構成，在低光照時有高的信噪比，有較低的時間噪聲。但需要使用微透鏡。目前，CMOS攝像機大多釆用圖4-23(b)所示的結構。
在圖4-23(b)中，場效應管VT1是光電二極管的負載，它起開關作用，其柵極接復位信號。當有復位脈沖時，VT1導通，光電二極管被瞬時復位；復位脈沖消失后，VE截止，光電二極管開始積分光信號。VT2就是一源極跟隨放大器，圖4-23(a)沒有，它將光電二極管的輸出信號進行電流放大。VT3是用于選址的開關，只有當選通脈沖引入時，它才導通，從而使得被放大的光電信號輸送到列總線上。因此，對APS的CMOS成像陣列來說，在每一個像素位置都有一個放大器，在一個較低的帶寬下，在幀頻需要復位時使離散的信號電荷包轉變成一個電壓，因為是在較低帶寬內對信號的放大，所以提高了信噪比。這是這種CMOS成像器件的一個優(yōu)點。因此，APS比PPS具有低讀岀噪聲和高讀出速率等優(yōu)點，但像素單元結構復雜一些，使填充系數(shù)降低(其填充系數(shù)一般只有20%?30%)。
圖4-23 CMOS圖像傳感器基本的像素單元結構
有源像素單元的時序圖如圖4-24所示，當復位脈沖來時，V「開通，此時光電二極管復位；當復位脈沖消失后，VT2截止，光電二極管進行光積分；光積分結束時；VT3開通，此時輸出光電信號。
隨著大規(guī)模集成電路的進展，在每一個像素位置，還可以增加電子快門、轉移阻抗放大器以及取樣保持電路等，雖可能增加像素的復雜性，但附加的優(yōu)點是降低了固定圖像噪聲。但每一像素里電路的增加又減少了光電二極管可利用的面積，目前只好在每個像素位置，配置能定向入射光電二極管的微透鏡而減少照度的損失。
圖4-24 有源xiangsu像素單元的時序圖
CMOS-APS成像器件的另一個優(yōu)點是，在每一個像素位置放大的信號電壓被切換到列緩沖器，然后至輸出放大器的。由于信號電壓直接被切換到輸出放大器，在轉換的過程中沒有信號電荷的流失，因而也就沒有圖像的拖尾現(xiàn)象。
2.CMOS圖像傳感器的總體結構及原理典型的CMOS圖像傳感器的總體結構如圖4-25所示，其主要組成部分是光電二極管與MOS場效應管和放大器組成的像敏單元的復合結構的圖像傳感器陣列（包含行選擇、列選擇及列放大器及執(zhí)行相關雙采樣CDS功能等）、模擬信號處理電路、視頻定時控制電路、曝光與白平衡等控制電路、PC總線接口電路、A/D轉換電路及預處理電路等，這些電路均集成在同一芯片上。
圖4-25CMOS圖像傳感器的總體結構
CMOS圖像傳感器中的像敏單元陣列按x和y方向上的地址，并分別由x和y方向的地址譯碼器（一般釆用移位寄存器）進行選擇，即所謂的列選擇與行選擇。并且，每一列像敏單元都對應一個列放大器，而列放大器的輸出信號分別接到由x方向的地址譯碼控制器進行選擇的模擬多路開關，其輸出經模擬信號處理與輸出放大到A/D轉換，最后經預處理電路后輸出。
